来源：ayx爱游戏官网 发布时间：2025-07-30 19:34:23
金融界2025年4月19日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南亚科技股份有限公司请求一项名为“3377.半导体结构及其制作办法”的专利，公开号CN119855138A，请求日期为2024年1月。
专利摘要显现，本发明的施行例供给一种半导体结构的制作办法，且该办法有以下过程。供给基板，且基板具有坐落阵列区的榜首阻障层及坐落周边区的第二阻障层。蚀刻基板以在该周边区中构成凹槽，且凹槽的底外表低于第二阻障层的底外表。构成栅极结构于凹槽中。此外，本发明也揭穿一种半导体结构。据此，具有洼陷的栅极结构的半导体结构及其制作办法可处理因半导体设备尺度缩小而导致栅极通道距离变小的漏电问题。
